英特尔实验室和组件研究组织已经展示了迄今为止在英特尔晶体管研发机构（位于俄勒冈州希尔斯伯勒朗勒英亩的戈登摩尔公园）开发的硅自旋量子比特器件的最高报告产量和均匀性。这一成就代表了在英特尔晶体管制造工艺上扩展和努力制造量子芯片的一个重要里程碑。
该研究是使用英特尔的第二代硅自旋测试芯片进行的。通过使用英特尔低温探测器（一种在低温（1.7开尔文或-271.45摄氏度）下运行的量子点测试设备）测试设备，该团队隔离了12个量子点和四个传感器。这一结果代表了业界最大的硅电子自旋器件，在整个300毫米硅晶圆的每个位置都有一个电子。