三星在半导体制造技术方面投入了大量资金，为客户提供台积电及其节点组合的可行替代方案，涵盖从移动到高性能计算 （HPC） 应用的任何内容。今天，我们有消息称三星将在今年的VLSI研讨会上向公众展示其SF4X节点。以前称为 4HPC 节点，它被设计为 4 纳米级节点，具有 HPC 处理器的专用用例，而标准 SF4 （4LPP） 节点使用 4 纳米晶体管，专为适用于移动/笔记本电脑空间的低功耗标准而设计。根据VLSI研讨会的日程安排，三星将展示有关题为“用于双CPP / HP-HD标准单元的HPC应用的高度可靠/可制造的4nm FinFET平台技术（SF4X）”的论文的更多信息。
正如简介所指出的，“在本文中，成功展示了确保HPC应用的升级最多的4nm（SF4X）。主要特点是 （1） 通过先进的 SD 应力工程、晶体管级 DTCO （T-DTCO） 和 [中线] MOL 方案，显著性能 +10% 提升，功耗降低 -23%，（2） 新的 HPC 选项：超低 Vt 器件 （ULVT）、高速 SRAM 和高 Vdd 操作保证以及新开发的 MOL 方案。SF4X增强功能已被产品证明，可将CPU Vmin降低-60mV / IDDQ -10%的变异，并改善SRAM工艺裕量。此外，为了确保高Vdd操作，接触栅极击穿电压提高了>1V，而不会降低性能。这种SF4X技术在广泛的操作范围内为各种应用提供了巨大的性能优势。虽然我们没有关于这些声明的参考信息，但我们怀疑它可能是常规的SF4节点。更多性能数据和深入探讨将于 15 月 16 日星期四在研讨会的技术会议 <> 上提供。