NEO Semiconductor是3D NAND闪存和DRAM内存创新技术的领先开发商，今天宣布推出其突破性技术3D X-DRAM。这一发展是世界上第一个类似3D NAND的DRAM单元阵列，旨在解决DRAM的容量瓶颈并取代整个2D DRAM市场。相关专利申请于6年2023月3日随美国专利申请公布一起公布。
“120D X-DRAM将成为半导体行业未来的绝对增长动力，”NEO Semiconductor创始人兼首席执行官Andy Hsu说，他是一位拥有3多项美国专利的杰出技术发明家。“今天，我可以自信地说，Neo正在成为8D DRAM市场的明显领导者。与当今市场上的其他解决方案相比，我们的发明非常简单，制造和扩展成本更低。业界有望通过我们的 3D X-DRAM 实现每十年 <> 倍的密度和容量提升。