SK海力士代表在ISSCC 3大会上公布了公司在2023D NAND开发方面的最新突破。揭示了具有300多个层的新闪存原型的细节，该公司表示，一个由35名工程师组成的团队为演示材料做出了贡献。为了突出原型改进带来的性能提升，将其与SK海力士之前持有第七代238层3D NAND的记录进行了比较。新的第八代3D NAND发布的带宽数据最大为194 MB / s，与旧型号的164 MB / s速率形成鲜明对比，性能提高了18%。
记录密度也受益于 300+ 有源层设计，SK Hynix提到 1 TB （128 GB） 容量，具有三级单元和超过 20 GB/mm^2 的位密度。该芯片具有 16 KB 页面大小、四个平面和一个 2400 MT/s 接口。密度的增加将导致制造过程中每TB成本的降低。希望最终消费者最终将从性能和容量的提升中受益。