尽管与最新的处理器和GPU相比，DRAM使用的生产工艺要少得多，但所有主要制造商都在继续逐步缩小其制造节点。造成这种情况的部分原因是，节点收缩对DRAM的改进与大多数类型的场效应晶体管或FET不同，后者主要用于制造某种处理器逻辑。据说SK海力士现在已经进入其第5代1β DRAM的合作伙伴验证过程，以确保其最新的1x nm DRAM与主要应用兼容。在SK海力士的案例中，这应该大致转化为12纳米工艺节点。
据韩国朝鲜媒体报道，英特尔将参与此次验证，英特尔已完成SK海力士第4代1α DRAM对其第4代至强可扩展处理器的验证。最初，SK海力士的第5代1β DRAM将针对服务器应用，因此很可能会测试与英特尔等相同平台的兼容性。据说新的1β DRAM将效率提高了40%以上，尽管该出版物没有提到这是电源效率还是其他什么。SK海力士的1β DRAM以及三星（三星于1年2022月宣布其<>β DRAM）均采用EUV光刻工艺制造，两家韩国DRAM制造商是迄今为止仅有的两家使用EUV的DRAM制造商。