半导体工程师Tom Wassick表示，AMD可能有一条直接的途径来提高“Navi 31”RDNA3 GPU的性能，为未来的高端SKU提供动力。GPU 的主要 SIMD 机器位于基于 5 纳米 EUV 代工厂工艺构建的图形计算芯片 （GCD） 中，周围环绕着六个基于 6 纳米的内存缓存芯片 （MCD），每个芯片都包含 GDDR6 内存控制器，以及 GPU 16 MB 无限高速缓存中的 96 MB 段。
在显微镜观察中，Wassick 注意到 MCD 上的结构，他认为这些结构看起来像一系列硅通孔 （TSV），用于“Zen 3”和“Zen 4”CCD 的那种，用于在 L3D（L3 缓存芯片）上连接堆叠的 3D 垂直缓存内存。如果理论成立，AMD有可能将每个MCD的L3缓存段大小从16 MB和GPU的整体无限缓存内存大小增加。凭借其 RDNA2 图形架构（RX 6000 系列），AMD 显着扩大了其 GPU 上的片上缓存，尤其是最后一级的 L3 缓存，甚至赋予它们“无限缓存”的特殊品牌，声称它们在润滑内存子系统方面产生了重大影响，让具有 256 位内存总线的 GPU 与具有更宽 320 位至 384 位接口的 NVIDIA GPU 竞争。