先进内存技术的全球领导者三星电子株式会社今天宣布开发其 16 千兆位 （Gb） DDR5 DRAM，采用业界首创的 12 纳米 （nm） 级工艺技术制造，并完成与 AMD 兼容的产品评估。“我们的12纳米范围DRAM将成为推动DDR5 DRAM市场采用的关键推动力，”三星电子DRAM产品和技术执行副总裁Jooyoung Lee说。凭借卓越的性能和能效，我们希望我们的新DRAM能够成为下一代计算、数据中心和人工智能驱动系统等领域更可持续运营的基础。
“创新通常需要与行业合作伙伴密切合作，以推动技术的界限，”AMD 高级副总裁、企业研究员兼客户、计算和图形首席技术官 Joe Macri 说。“我们很高兴再次与三星合作，特别是在推出在”Zen“平台上经过优化和验证的DDR5内存产品。