三星电子有限公司是先进内存技术的全球领导者，正如在 2022 年闪存峰会和 2022 年三星内存技术日上承诺的那样，今天宣布已开始批量生产具有业界最高位密度的 1 TB 三级单元 （TLC） 第八代垂直 NAND （V-NAND）。在 1 Tb 的容量下，新的 V-NAND 还具有迄今为止最高的存储容量，从而为全球下一代企业服务器系统提供了更大的存储空间。
三星电子闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hur表示：“随着市场对更密集、更大容量存储的需求推动了V-NAND层数的增加，三星采用了其先进的3D缩放技术来减少表面积和高度，同时避免了缩小时通常发生的单元间干扰。我们的第八代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，并更好地定位我们，以提供更多差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。