据韩国日报《Kukmin Ilbo》报道，三星和台积电在4纳米和3纳米代工工艺市场的竞争即将升温，这家韩国代工厂声称产量与台积电的产量具有竞争力。4 nm 是使用 FinFET 技术的最终硅制造工艺，该技术为介于 16 nm 至 4 nm 之间的节点供电。三星代工声称4纳米晶圆良率为75%，而台积电公布的良率数据为80%。4 nm 为多个当前一代移动 SoC、PC 处理器以及更重要的是推动 AI 淘金热的 GPU 提供支持。
3 nm是首次推出GAA-FET（FET周围栅极）技术的节点，事情变得非常有趣。在这里，三星声称提供比台积电更高的产量，其3纳米GAA节点的产量为60%，而台积电则为55%。三星最近受到丑闻的影响，据称其工程师伪造了客户的收益率数据以对订单进行评分，这对客户的数量和竞争力产生了连锁反应。我们倾向于认为三星已经吸取了教训，并且对媒体报道的收益率数据更加谨慎。同时，英特尔代工服务与英特尔 3 节点竞争，该节点在物理上为 7 纳米鳍式场效应晶体管，但具有与 3 纳米相当的电气特性。